SEM:利用阴极所发射的电子束经阳极加速,由磁透镜加速后形成一束直径为几十埃到几千埃的电子束流,这束高能电子束轰击到样品表面会激发多种信息,经过分别收集,放大就能从显示屏上得到各种相应的图像。
EDS:入射电子束可停留在被观察区域上的任何位置.X射线在直径1微米的体积内产生,可对试样表面元素的分布进行质和量的分析,高能电子束轰击样品表面,激发各种信号。
可以对陶瓷、金属、粉末、塑料等样品进行形貌观察及成分分析:
‧SEM主要利用背散射电子(BEI)和二次电子(SEI)来成像。
‧EDS通过特征X-RAY获取样品表面的成分信息。
※非破坏性测试,用于检测样品内部结构
‧金线键合情况 ‧IC层次
※非破坏性测试,用于检测PCBA焊接情况
‧焊点开裂、气泡、桥接、少件、空焊等
‧PTH填锡量
3.超声波扫描(C-SAM)分析
C-SAM是利用超声波脉冲探测样品内部空隙等缺陷的仪器,主要用于观察组件内部的芯片粘接失效、分层、裂纹、夹杂物、空洞等。是一项非破坏性的检测组件的完整性,内部结构和材料的内部情况的测试,作为无损检测分析中的一种,它可以实现在不破坏物料电气能和保持结构完整性的前提下对物料进行检测。被广泛的应用在物料检测(IQC)、失效分析(FA)、质量控制(QC)、质量保证及可靠性(QA/REL)、研发(R&D)等领域。
扫描模式
‧传输时间测量模式(A-Scan)
‧表面及横向截面扫描模式(C-Scan)
‧纵向截面成像模式(B-Scan)
‧透射扫描(T-Scan,限15MHz/30MHz探头)
参考标准:
IPC/JEDEC J-STD-035 1999
4.切片(Cross Section)分析
切片是用特制液态树脂将样品包裹固封,然后进行研磨抛光的一种制样方法,检测流程包括取样、固封、研磨、抛光、最后提供形貌照片、开裂分层大小判断或尺寸等数据。
目的:电子元器件表面及内部缺陷检查及SMT制程改善&验证。
适用范围: 适用于电子元器件结构剖析,PCBA焊接缺陷,焊点上锡形态及缺陷检测等。
使用仪器:精密切割机,镶埋机,研磨及抛光机,金相显微镜,电子显微镜等。
测试流程:取样 镶埋 研磨 抛光 观察拍照
常规检验项目及标准:IPC-TM-650 2.1.1 E 05/04
1.PCB结构缺陷:PCB分层,孔铜断裂等
2.PCBA焊接质量检测:
a.BGA空焊,虚焊,孔洞,桥接,上锡面积等;
b.产品结构剖析:电容与PCB铜箔层数解析,LED结构剖析,电镀工艺分析,材料内部结构缺陷等;
c.微小尺寸量测(一般大于1um):气孔大小,上锡高度,铜箔厚度等。
主要用途:
是一种观察样品截面组织结构情况的最常用的制样手段,
1、切片后的样品常用立体显微镜或者金相测量显微镜观察;
2、切片后的样品可以用于SEM/EDS扫描电镜与能谱观察形貌与分析成份;
3、作完无损检测如x-ray,SAM的样品所发现的疑似异常开裂、异物嵌入等情况,可以用切片的方法来观察验证;
4、切片后的样品可以与FIB联用,做更细微的显微切口观察。
切片技术主要是一种用于检查电子组件、电路板或机构件内部状况、焊接状况的分析手段。通常采用研磨的方法,使内部结构或缺陷暴露出来。
5.表面绝缘阻抗(SIR)测试
SIR测试可以用来评估金属导体之间短路或者电流泄露造成的问题。这些失效通常是由于材料的交互性,工艺控制上的疏忽,或者材料本身特性不能达到用户所需要的性能。通过加速温湿度的变化,SIR能够测量测试在特定时间内电流的变化。表面绝缘阻抗(SURFACE INSULATION RESISTANCE)可以定义为两个电路导体之间的电阻。方块电阻, 体电导率,和电解污染泄漏 极化污染都可以成为影响表面绝缘电阻变化的因素,我们也可以将表面电阻理解成为整个电路阻止引脚或者引脚表面短路的能力。
给电路施加一定电压,通过测试电路的电流大小,来计算出电阻值,并记录电阻值随时间变化情况。
测试目的
•变动电路板设计或布局
•更改清洁材料或工艺
•变更助焊剂和/或锡膏
•变更回流焊或波峰焊工艺
•使用新色敷形涂料或工艺
•考核裸板供应商资质
•基于可靠性的产品标定
测试对象
‧助焊剂 ‧清洗剂 ‧锡膏 ‧锡渣还原剂 ‧PCB软板
参考标准:
JIS Z 3197-1999